1200V CoolSiC™ M1H模块

英飞凌1200V CoolSiC™ M1H模块为电动汽车 (EV) 充电和其他逆变器设计人员提供了机会，使他们能够实现前所未有的效率和功率密度水平。

分离式半导体类型
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数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1
Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
数据表
40预期 2026/8/13
最低： 1
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
数据表
10预期 2026/10/14
最低： 1
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
数据表
30预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies MOSFET模块 Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
数据表
120在途量
最低： 1
倍数： 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies 分立半导体模块 CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1
否
Discrete Semiconductor Modules Si