TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管

Toshiba TRSx65H碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 是650V器件，基于采用肖特基金属的第三代技术。这些元件优化了第二代产品的结势垒肖特基 (JBS) 结构，降低了肖特基接口的电场，并降低了漏电流，从而提高了效率。TRSx65H的正向电压降低了17%（1.2V典型值），与第二代器件相比，改善了正向电压和总电容电荷（17nC典型值）之间的平衡。该器件具有增强的正向电压和反向电流比，典型绝缘电阻为1.1µA。其他特性包括高达12A正向直流电流和高达640A方波非重复浪涌电流。

结果: 12
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
封装
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8
数据表
1,933库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8
数据表
3,858库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8
数据表
6,966库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8
数据表
4,849库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
数据表
2,245库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
数据表
108库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
数据表
224库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
数据表
31库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
数据表
150预期 2026/7/13
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
数据表
172预期 2026/11/5
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube