TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管

Toshiba TRSx65H碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 是650V器件,基于采用肖特基金属的第三代技术。这些元件优化了第二代产品的结势垒肖特基 (JBS) 结构,降低了肖特基接口的电场,并降低了漏电流,从而提高了效率。TRSx65H的正向电压降低了17%(1.2V典型值),与第二代器件相比,改善了正向电压和总电容电荷(17nC典型值)之间的平衡。该器件具有增强的正向电压和反向电流比,典型绝缘电阻为1.1µA。其他特性包括高达12A正向直流电流和高达640A方波非重复浪涌电流。

结果: 12
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 If - 正向电流 Vrrm - 重复反向电压 Vf - 正向电压 Ifsm - 正向浪涌电流 Ir - 反向电流 封装
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8 2,134库存量
剪切带
¥27.459
¥14.3058
¥12.3283
¥11.0853
卷轴
¥9.266
¥8.5993
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8 6,771库存量
剪切带
¥19.2778
¥9.3451
¥8.4411
¥8.0682
卷轴
¥8.0682
¥5.5935
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8 4,789库存量
剪切带
¥22.826
¥11.2548
¥10.0909
¥9.3451
卷轴
¥9.3451
¥7.0286
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8 1,933库存量
剪切带
¥30.5213
¥16.2946
¥13.9781
¥12.9046
卷轴
¥9.8423
¥9.6728
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L 1库存量
¥21.0067
¥12.2379
¥7.5823
¥6.9947
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8 1,033库存量
剪切带
¥31.5948
¥18.4416
¥15.0516
¥14.6448
卷轴
¥14.6448
¥11.0062
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L 50库存量
¥28.7811
¥14.4753
¥13.899
¥10.509
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L 63库存量
150预期 2026/11/5
¥31.5157
¥19.1083
¥15.8765
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L 208库存量
¥19.2778
¥9.3451
¥9.266
¥8.0117
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L 127库存量
¥22.7469
¥11.1644
¥11.0853
¥10.0909
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L 21库存量
¥27.3799
¥13.56
¥12.1588
¥12.0797
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
172在途量
¥18.2834
¥9.3451
¥6.6557
¥6.0681
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube