射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 – Mouser

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RFxL射频功率LDMOS晶体管

STMicroelectronics RFxL射频功率LDMOS晶体管具有高性能，设计用于具有不同频段的多种应用。RFxL射频功率晶体管采用B4E、B2和LBB封装。

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor RF5L08350CB4 STMicroelectronics 1: ¥1,455.4739 110库存量 NRND	制造商零件编号 RF5L08350CB4 Mouser 零件编号 511-RF5L08350CB4 NRND	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 了解更多关于STMicroelectronics stm rfxl transistors 的信息	数据表	110库存量	剪切带 ¥1,455.4739 ¥1,160.3405 卷轴 ¥1,160.3405 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 120			N-Channel	Si	2.5 A	110 V	1 Ohms	1 GHz	19 dB	400 W	+ 200 C	SMD/SMT	B4E-5	Reel, Cut Tape, MouseReel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor RF2L16180CB4 STMicroelectronics 1: ¥1,455.4739 20库存量 NRND	制造商零件编号 RF2L16180CB4 Mouser 零件编号 511-RF2L16180CB4 NRND	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor 了解更多关于STMicroelectronics stm rfxl transistors 的信息	数据表	20库存量	剪切带 ¥1,455.4739 ¥1,160.3405 卷轴 ¥1,160.3405 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 120			N-Channel	Si	2.5 A	65 V	1 Ohms	1.6 GHz	14 dB	180 W	+ 200 C	SMD/SMT	B4E-5	Reel, Cut Tape, MouseReel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz RF3L05250CB4 STMicroelectronics 100: ¥1,625.2903 无库存交货期 52 周 NRND	制造商零件编号 RF3L05250CB4 Mouser 零件编号 511-RF3L05250CB4 NRND	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 了解更多关于STMicroelectronics stm rfxl transistors 的信息	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥1,625.2903	最低： 100 倍数： 100 : 100			N-Channel	Si	2.5 A	90 V	1 Ohms	1 MHz	18 dB	250 W	+ 200 C	SMD/SMT	LBB-5	Reel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor RF2L36075CF2 STMicroelectronics 120: ¥1,002.2648 无库存交货期 52 周 NRND	制造商零件编号 RF2L36075CF2 Mouser 零件编号 511-RF2L36075CF2 NRND	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 了解更多关于STMicroelectronics stm rfxl transistors 的信息	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥1,002.2648	最低： 120 倍数： 120 : 120			N-Channel	Si	2.5 A	60 V	1 Ohms	3.5 GHz	12.5 dB	75 W	+ 200 C	SMD/SMT	B2-3	Reel