GP2T020A120H

Name: SemiQ GP2T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T020A120H
Price: 161.41 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

148-GP2T020A120H

制造商编号：

GP2T020A120H

制造商：

SemiQ

说明：

碳化硅MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET

数据表:

GP2T020A120H 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SemiQ
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	119 A
Rds On-漏源导通电阻:	18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	216 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	564 W
通道模式:	Enhancement
商标:	SemiQ
配置:	Single
下降时间:	19 ns
正向跨导 - 最小值:	26 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	5 ns
系列:	GP2T020A120
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	38 ns
典型接通延迟时间:	17 ns

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数据表

GP2T020A120H 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET can be combined with silicon carbide Schottky diodes to achieve optimal performance without the trade-offs made with Silicon devices. This MOSFET offers reduced switching losses, higher efficiency, reduced heat sink size, and increased power density. The GP2T020A120H MOSFET features high-speed switching, longer creepage distance, 564W power dissipation, and 800mJ single pulse avalanche energy. This MOSFET is ideal for designers working on EV charging, industrial controls, and HVAC systems. Typical applications include power factor correction, DC-DC converter primary switching, and synchronous rectification.