UJ3C碳化硅FET

QorvoUJ3C碳化硅（SiC）FET基于独特的共源共栅配置，优化用于软开关设计。UJ3C SiC FET非常适用于升级现有硅基器件或启动新型基于SiC的设计。这些器件将SiC JFET与定制设计的Si MOSFET集成在一起，以产生MOSFET的常闭操作、高性能体二极管和简单栅极驱动与SiC JFET的效率、速度和高温额定值的理想组合。因此，现有系统预计会提高性能，同时降低导通和开关损耗、增强的热特性以及集成的栅极ESD保护。 

结果: 11
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3
数据表
1,529库存量
2,000预期 2026/8/21
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
数据表
548库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
数据表
749库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 40

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
数据表
435库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24
数据表
1,310库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 40

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
数据表
394库存量
1,000预期 2026/12/28
最低： 1
倍数： 1
最大： 200

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
数据表
392库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
数据表
635库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 110

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24
数据表
590库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2
数据表
55库存量
600预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
数据表
9库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET