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FF900R12ME7B11NPSA1

Name: Infineon FF900R12ME7B11NPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF900R12ME7B11N1
Price: 1872.46 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-FF900R12ME7B11N1

制造商编号：

FF900R12ME7B11NPSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module

数据表:

FF900R12ME7B11NPSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	IGBT 模块
RoHS:	N
产品:	IGBT Silicon Modules
配置:	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.5 V
在25 C的连续集电极电流:	900 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
技术:	Si
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	IGBT Modules
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	EconoDUAL
零件号别名:	FF900R12ME7_B11 SP005422550

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数据表

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Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

工业驱动器

英飞凌工业驱动器提供各种高效半导体，优化用于电机驱动器。设计人员可以依靠英飞凌智能功率模块 (IPM) 和分立元件实现低功耗范围内智能设计。对于中等功率驱动器，英飞凌EasyPIM™、EasyPACK™和EconoPIM™模块完美匹配。实现高功率频谱，EconoDUAL™和PrimePACK™是最佳解决方案。这些与创新的.XT互连技术结合在一起。PrimePACK模块可通过提高热循环和功率循环能力来延长使用寿命，从而帮助设计人员走出高估的困境。

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™双配置模块

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ 双配置模块基于微图案沟槽技术，可减少损耗，提供高可控性。与方形沟槽单元格相比，该单元格概念的特点是可实现由亚微米台面分隔的平行沟槽单元格。专门优化的芯片，用于工业驱动应用和太阳能系统，具有低静态损耗、高功率密度和软开关特性。该模块的最高工作温度为+175°C，可显著提高功率密度。

EconoDUAL™ 3 Econo功率模块

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 Econo功率模块支持100A至600A的电流范围和600V/650V/1200V和1700V的电压。EconoDUAL 3具有出色的机械坚固性、功率循环功能以及PressFIT引脚选项。由于可以采用TIM，因此该器件成为适用于驱动器、CAV、风力涡轮机、太阳能和混合动力汽车应用的可靠且经济高效的解决方案。EconoDUAL™ 3模块采用3级、半桥、H桥和斩波器拓扑，可实现高效的逆变器设计。

FF900R12ME7_B11双IGBT模块

Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块采用EconoDUAL™ 3、双TRENCHSTOP ™ IGBT7模块、NTC和PressFIT接触技术。该IGBT模块具有高功率密度、改进的端子以及集成式NTC温度传感器。FF900R12ME7_B11模块设有简单可靠的组件，可避免与IGBT模块并联。该IGBT模块的存放温度范围内为-40°C至125°C。FF900R12ME7_B11模块包括经过优化的爬电距离（用于1500V PV应用）以及PressFIT控制引脚和螺纹式电源端子。该IGBT模块非常适合用于电机控制设备、太阳能系统解决方案、伺服驱动器和UPS系统。