WLSC引线接合式薄型硅电容器

Murata WLSC引线接合式垂直薄型(厚100µm)硅电容器面向用于无线通信(例如5G)、雷达和数据广播系统的射频大功率应用。WLSC电容器适合用于直流去耦、匹配网络和谐波/噪声滤波功能。这些硅电容器设计采用半导体工艺,该工艺能够集成1.55nF/mm2至250nF/mm2的高电容密度(击穿电压分别为450V至11V)。

结果: 13
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 电容 电压额定值 封装 / 箱体 容差 系列 温度系数 最小工作温度 最大工作温度 产品 端接类型 封装
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Vertical Wirebond low profile Silicon capacitor 100pF, 10GHz, -55/+150 C, 0202 [0.5 x 0.5mm], Thickness : 100 m, BV: 150V 无库存交货期 20 周
卷轴
¥4.6895
¥4.6782
¥4.294
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000
100 pF 33 V 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Wire Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Vertical Wirebond low profile Silicon capacitor 1nF, 10GHz, -55/+150 C, 0202 [0.5 x 0.5mm], Thickness : 100 m, BV: 150V 无库存交货期 20 周
卷轴
¥6.3393
¥5.8534
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000
1 nF 33 V 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Wire Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Vertical Wirebond low profile Silicon capacitor 100pF, 10GHz, -55/+150 C, 0101 [0.25 x 0.25mm], Thickness : 100 m, BV: 150V 无库存交货期 20 周
¥10.0909
¥9.3451
¥8.8479
最低: 400
倍数: 400
100 pF 33 V 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Wire Waffle
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Vertical Wirebond low profile Silicon capacitor 47pF, 10GHz, 10GHz, -55/+150 C, 0201 [0.5 x 0.25mm], Thickness : 100 m, BV: 150V 无库存交货期 20 周
¥5.2658
¥5.1867
最低: 400
倍数: 400
47 pF 33 V 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Wire Waffle
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Vertical Wirebond low profile Silicon capacitor 150pF, 10GHz, -55/+150 C, 015015 [0.381.x.0.381mm], Thickness : 100 m, BV: 150V 无库存交货期 20 周
¥6.3732
¥5.6274
¥4.7121
¥4.6669
最低: 400
倍数: 400
150 pF 33 V 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Wire Waffle
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Vertical Wirebond low profile Silicon capacitor 1nF, 10GHz, -55/+150 C, 0101+ [0.294 x 0.294mm], Thickness : 100 m, BV: 50V 无库存交货期 20 周
¥8.9383
¥8.2264
¥6.6218
最低: 400
倍数: 400
1 nF 33 V 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Wire Waffle
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Vertical Wirebond low profile Silicon capacitor 10nF, 10GHz, -55/+150 C, 0202 [0.5 x 0.5mm], Thickness : 100 m, BV: 30V 无库存交货期 20 周
卷轴
¥7.2998
¥6.8591
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000
10 nF 33 V 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Wire Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Vertical Wirebond low profile Silicon capacitor 1nF, 10GHz, -55/+150 C, 0101 [0.25 x 0.25mm], Thickness : 100 m, BV: 30V 无库存交货期 20 周
¥7.1416
最低: 400
倍数: 400
1 nF 33 V 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Wire Waffle
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
3.7 nF 33 V 02065 (0516 metric) 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C RF Capacitors Wire Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
22 nF 33 V 0402 (1005 metric) 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C RF Capacitors Wire Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
2.7 nF 33 V 0205 (0512 metric) 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C RF Capacitors Wire Reel
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
4.7 nF 33 V 0208 (0520 metric) 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C RF Capacitors Wire Reel
Murata Electronics 935146050510-T3T
Murata Electronics 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Low profile, High temperature, Wirebonding
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
10 nF 33 V 15 % WLSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Wire Reel