NTK3134N单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NTK3134N单N沟道功率MOSFET具有ESD保护功能，是优化用于高效开关应用优化的强大MOSFET。安森美 (onsemi) NTK3134N组件采用紧凑的3引脚SOT-723封装，在4.5V电压下实现0.20Ω的低R_DS(on) ，可最大限度地减少传导损耗并提升热性能。NTK3134N MOSFET的漏源电压额定值为20V，稳态漏极连续电流能力为890mA（最大值），非常适合用于便携式电子设备、DC-DC转换器和负载开关电路。开关速度快和栅极电荷低，有助于降低功耗并提高整体系统效率，使这些MOSFET成为空间受限、功耗敏感设计的可靠选择。