N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET是高性能N沟道晶体管，专为要求苛刻的电源转换应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻、出色的热阻，以及优异的米勒比率，耐dv/dt。OptiMOS™ 7功率MOSFET针对软硬开关拓扑结构以及FOMoss进行了优化。这些功率MOSFET都100%通过了雪崩测试，并且符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 功率MOSFET符合IEC61249‑2‑21国际标准，不含卤素。

结果: 12
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
数据表
2,117库存量
10,000预期 2026/9/3
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
数据表
417库存量
5,000预期 2026/8/27
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
14,727库存量
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
5,918库存量
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
5,291库存量
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
4,975库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
4,917库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
4,965库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
5,710库存量
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
数据表
4,958库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
数据表
4,359库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
数据表
361库存量
10,000在途量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape