GEN3 1200V SiC MOSFET分立式器件

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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数量 RoHS
SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
数据表
413库存量
60预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
数据表
80库存量
最低： 1
倍数： 1

SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
数据表
185库存量
最低： 1
倍数： 1

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 14m SiC MOSFET TO-247-4L
数据表

SemiQ SemiQ Gen3 1200V 17m SiC MOSFET TO-247-4L
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 34m SiC MOSFET TO-247-4L
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SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 16m SiC MOSFET TSPak
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 20m SiC MOSFET TSPak
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 40m SiC MOSFET TSPak
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 40mO SiC MOSFET TO-247-3L
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 72mO SiC MOSFET TO-247-4L
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TO-263-7L
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SemiQ SemiQ Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TSPak
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