绝缘栅双极晶体管(IGBT) – Mouser

跳到主内容

TTI Family of Specialists旗下成员联系贸泽（上海）免费电话: 400-821-6111反馈

更改位置中文¥ RMB

免费电话: 400-821-6111 更改位置

现货

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Model BID绝缘栅双极晶体管

Bourns Model BID绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 结合了MOSFET栅极和双极晶体管技术，设计用于高压/大电流应用。该Model BID IGBT采用先进的沟槽栅极场截止技术，可更好地控制动态特性，从而降低集电极-发射极饱和电压、减少开关损耗。该IGBT的工作温度范围为-55°C至+150°C，采用TO-252、TO-247与TO-247N封装。这些高热效率元器件具有较低热阻，使其成为适合开关模式电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS) 和功率因数校正 (PFC) 应用的IGBT解决方案。

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 8

已应用过滤器:

封装 / 箱体

安装风格

集电极—发射极最大电压 VCEO

集电极—射极饱和电压

栅极/发射极最大电压

在25 C的连续集电极电流

Pd-功率耗散

最小工作温度

最大工作温度

封装

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 BIDD05N60T Bourns 1: ¥18.4416 24,136库存量	制造商零件编号 BIDD05N60T Mouser 零件编号 652-BIDD05N60T	Bourns	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 了解更多关于Bourns model bid igbt 的信息	数据表	24,136库存量	剪切带 ¥18.4416 ¥11.8311 ¥7.9778 ¥6.3619 ¥5.8308 卷轴 ¥5.4014 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 2,500			Si	TO-252-3	SMD/SMT	Single	600 V	1.5 V	- 30 V, 30 V	10 A	82 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Reel, Cut Tape, MouseReel
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L BIDW75N65EH5 Bourns 1: ¥67.4158 5,797库存量	制造商零件编号 BIDW75N65EH5 Mouser 零件编号 652-BIDW75N65EH5	Bourns	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L 了解更多关于Bourns model bid 的信息	数据表	5,797库存量	¥67.4158 ¥39.0415 ¥32.7587 ¥30.7699	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	20 V	150 A	394 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L BIDW40N65ES5 Bourns 1: ¥48.2284 2,780库存量	制造商零件编号 BIDW40N65ES5 Mouser 零件编号 652-BIDW40N65ES5	Bourns	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L 了解更多关于Bourns model bid 的信息	数据表	2,780库存量	¥48.2284 ¥27.3008 ¥22.9955 ¥22.1706	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.35 V	20 V	80 A	230 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L BIDW40N65H5 Bourns 1: ¥47.8103 2,967库存量	制造商零件编号 BIDW40N65H5 Mouser 零件编号 652-BIDW40N65H5	Bourns	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L 了解更多关于Bourns model bid 的信息	数据表	2,967库存量	¥47.8103 ¥27.3008 ¥22.9955 ¥22.9164	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	20 V	80 A	300 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L BIDW75N65ES5 Bourns 1: ¥62.2856 2,773库存量	制造商零件编号 BIDW75N65ES5 Mouser 零件编号 652-BIDW75N65ES5	Bourns	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L 了解更多关于Bourns model bid 的信息	数据表	2,773库存量	¥62.2856 ¥39.0415 ¥32.7587 ¥30.7699	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.42 V	20 V	150 A	394 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 BIDW30N60T Bourns 1: ¥45.4938 3,011库存量	制造商零件编号 BIDW30N60T Mouser 零件编号 652-BIDW30N60T	Bourns	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 了解更多关于Bourns model bid igbt 的信息	数据表	3,011库存量	¥45.4938 ¥27.2104 ¥21.7525 ¥19.1083 ¥18.3625	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	600 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	60 A	230 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 BIDW50N65T Bourns 1: ¥55.9124 2,979库存量 1,230预期 2027/1/8	制造商零件编号 BIDW50N65T Mouser 零件编号 652-BIDW50N65T	Bourns	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 了解更多关于Bourns model bid igbt 的信息	数据表	2,979库存量 1,230预期 2027/1/8	¥55.9124 ¥33.4141 ¥27.8771 ¥23.8204 ¥23.7413	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	100 A	416 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N BIDNW30N60H3 Bourns 1: ¥46.7368 无库存交货期 16 周	制造商零件编号 BIDNW30N60H3 Mouser 零件编号 652-BIDNW30N60H3	Bourns	绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N 了解更多关于Bourns model bid igbt 的信息	数据表	无库存交货期 16 周	¥46.7368 ¥28.4534 ¥22.826 ¥16.6223	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	600 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	60 A	230 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube