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SQS414CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQS414CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQS414CENW-T1_GE3
Price: 8.86 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SQS414CENW-T1_GE3

制造商编号：

SQS414CENW-T1_GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

数据表:

SQS414CENW-T1_GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK 1212-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	8.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	33 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	9.6 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
系列:	SQS
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	8 ns

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数据表

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Technical Resources

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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在途量:: 131,870

预期 2026/8/21
生产周期：: 10

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 3000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥10.0118	¥10.01
	¥6.1924	¥61.92
	¥4.068	¥406.80
	¥3.1979	¥1,598.95
	¥2.8137	¥2,813.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.486	¥7,458.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SQS414CENW-T1_GE3

制造商： Vishay / Siliconix

说明： MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

规格

文件 (7)

数据表

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