650V & 1200V IGBTs

Micro Commercial Components (MCC) 650V and 1200V IGBTs utilize a Trench-Field Stop technology that delivers superior current conduction capability combined with a low conduction and switching loss. The IGBTs permit paralleling via the positive temperature coefficient. The MCC 650V and 1200V IGBTs are easy to operate and simple on and off. Users have many options with various devices to apply in their application.

结果: 6
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装


Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
1,796库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V MIW40N65RA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
1,696库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 428 W - 40 C + 175 C MIW40N120FLA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
1,783库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 650 V 1.95 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C MIW30N65FA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
1,794库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C MIW30N65FLA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
1,287库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 200 W - 40 C + 175 C MIW15N120FA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
347库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 40 C + 175 C MIW25N120FA Bulk