信号电感器

TDK信号电感器采用一流的多层处理技术和绕线技术制造而成。其绕线技术采用带有高导磁率铁氧体颗粒的高效闭合磁路,可实现更低的Rdc值和耗电量。TDK信号电感器设计用于各种应用,包括移动设备、消费类电子产品以及各种汽车设备和系统。

电感器、扼流圈和线圈的类型

更改类别视图
结果: 647
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 电感 容差 最大直流电流 最大工作温度 资格
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.27 H, 600mO 7,303库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

270 nH 5 % 150 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 270nH 600mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200 4,027库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

270 nH 5 % 150 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) .27 UH 10% 195库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

270 nH 10 % 150 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 270nH 600mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200 542库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

270 nH 10 % 150 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 330nH 750mohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200 10,595库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

330 nH 5 % 100 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.33 H, 750mO 20,109库存量
32,000预期 2026/12/1
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

330 nH 10 % 100 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 330nH 750mohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200 561库存量
4,000预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

330 nH 10 % 100 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.33 H, 750mO 1,100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000
330 nH 20 % 100 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.39 H, 850mO 2,669库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

390 nH 5 % 100 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 390nH 850mohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200 5,007库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

390 nH 5 % 100 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) .39 UH 10% 4,000库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

390 nH 10 % 100 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 390nH 850mohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200 512库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

390 nH 10 % 100 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 470nH 950mohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200 335库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

470 nH 5 % 100 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.47 H, 950mO 6,613库存量
44,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

470 nH 10 % 100 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 470nH 950mohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200 151库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

470 nH 10 % 100 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.47 H, 950mO 3,990库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

470 nH 20 % 100 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 470nH 950mohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200 214库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

470 nH 20 % 100 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 560nH 1.05ohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200 2,279库存量
4,000预期 2026/11/11
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

560 nH 5 % 100 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) .56 UH 10% 10,372库存量
24,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

560 nH 10 % 100 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.56 H, 1.05O 4,000库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

560 nH 20 % 100 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 70mA, 0.68 H, 1.25O 6,098库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

680 nH 5 % 70 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 680nH 1.25ohms 70mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,589库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

680 nH 5 % 70 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) .68 UH 10% 13,419库存量
20,000预期 2026/10/5
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

680 nH 10 % 70 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 70mA, 0.68 H, 1.25O 385库存量
4,000预期 2026/10/5
最低: 1
倍数: 1
: 4,000
680 nH 20 % 70 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 680nH 1.25ohms 70mA +/-20% Fer AEC-Q200 1,825库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

680 nH 20 % 70 mA + 125 C AEC-Q200