信号电感器

TDK信号电感器采用一流的多层处理技术和绕线技术制造而成。其绕线技术采用带有高导磁率铁氧体颗粒的高效闭合磁路,可实现更低的Rdc值和耗电量。TDK信号电感器设计用于各种应用,包括移动设备、消费类电子产品以及各种汽车设备和系统。

电感器、扼流圈和线圈的类型

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结果: 647
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 电感 容差 最大直流电流 最大工作温度 资格
TDK 射频电感器(SMD型) 180nH 250mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200 3,912库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

180 nH 20 % 300 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 2012 0.22uH 5% 1,288库存量
4,000预期 2026/10/19
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

220 nH 5 % 250 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 220nH 300mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200 4,259库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

220 nH 5 % 250 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.22 H, 300mO 6,922库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

220 nH 10 % 250 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 220nH 300mohms 250mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,473库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

220 nH 10 % 250 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.27 H, 350mO 9,525库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

270 nH 5 % 250 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 270nH 350mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200 4,327库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

270 nH 5 % 250 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.27 H, 350mO 3,586库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

270 nH 10 % 250 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 250mA, 0.33 H, 400mO 3,532库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

330 nH 5 % 250 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 330nH 400mohms 250mA +/-5% Fer AEC-Q200 1,980库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

330 nH 5 % 250 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) .33 UH 10% 21,253库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

330 nH 10 % 250 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 390nH 450mohms 200mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,799库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

390 nH 5 % 200 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 390nH 450mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200 380库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

390 nH 10 % 200 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 470nH 500mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,797库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

470 nH 10 % 200 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.47 H, 500mO 2,548库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

470 nH 20 % 200 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 2012 0.56uH 5% 1,935库存量
4,000预期 2026/9/1
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

560 nH 5 % 150 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 560nH 550mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200 2,874库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

560 nH 5 % 150 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) .56 UH 10% 10,951库存量
20,000预期 2026/10/14
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

560 nH 10 % 150 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.56 H, 550mO 93库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

560 nH 20 % 150 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) .68 UH 5% 1,224库存量
94,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

680 nH 5 % 150 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) .68 UH 10% 4,504库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

680 nH 10 % 150 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.68 H, 600mO 1,476库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

680 nH 20 % 150 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 2012 0.82uH 5% 1,939库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

820 nH 5 % 150 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 820nH 650mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,178库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

820 nH 5 % 150 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 820nH 650mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,430库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

820 nH 10 % 150 mA + 125 C AEC-Q200