信号电感器

TDK信号电感器采用一流的多层处理技术和绕线技术制造而成。其绕线技术采用带有高导磁率铁氧体颗粒的高效闭合磁路,可实现更低的Rdc值和耗电量。TDK信号电感器设计用于各种应用,包括移动设备、消费类电子产品以及各种汽车设备和系统。

电感器、扼流圈和线圈的类型

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结果: 647
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 电感 容差 最大直流电流 最大工作温度 资格
TDK 射频电感器(SMD型) 0.12uH 5% 0.15ohms 650mA 7,484库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

120 nH 5 % 750 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 0.15uH 5% 0.16ohms 600mA 8,021库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

150 nH 5 % 700 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 160nH 0.12ohm 750mA 5% 330MHz 3,602库存量
4,000预期 2026/12/14
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

160 nH 5 % 700 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 160nH 0.12ohms 750mA 10% 330MHz 4,219库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

160 nH 10 % 700 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 0.18uH 5% 0.2ohms 600mA 7,102库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

180 nH 5 % 650 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 220nH 0.2ohms 700mA 5% 290MHz 5,874库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

220 nH 5 % 600 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 220nH 0.2ohms 700mA 10% 290MHz 627库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

220 nH 10 % 600 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 270nH 0.22ohms 650mA 10% 260MHz 6,063库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

270 nH 10 % 550 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 330nH 0.24ohms 650mA 5% 230MHz 8,000库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

330 nH 5 % 500 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 330nH 0.24ohms 650mA 10% 230MHz 4,647库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

330 nH 10 % 500 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 390nH 0.28ohms 600mA 5% 210MHz 7,003库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

390 nH 5 % 450 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 560nH 0.4ohms 550mA 10% 170MHz 3,997库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

560 nH 10 % 400 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 2.2uH 324mohms 730mA 125C Wound Ferrite 4库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

2.2 uH 20 % 390 mA + 105 C
TDK 射频电感器(SMD型) 22uH 1.001ohms 300mA Wound Ferrite
21,990在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

22 uH 10 % 300 mA + 105 C
TDK 射频电感器(SMD型) 220nH 32.4mohms 2.4A 125C Wound Ferrite
22,000预期 2026/9/10
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

220 nH 20 % 2.4 A + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 2.2uH 0.115ohm 1.2mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
38,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

2.2 uH 20 % 770 mA + 105 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.47 H, 500mO
35,190在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

470 nH 10 % 200 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 0402 1.2uH 5% AEC-Q200
9,854预期 2026/9/1
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

1.2 uH 5 % 35 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 0.22uH 0.05ohm 1.69A 2.5x2.0mm AEC-Q200
1,998预期 2026/9/10
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

220 nH 20 % 1.69 A + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 68uH 2.8ohms 140mA 3.2x2.5mm AEC-Q200
1,985预期 2026/11/2
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

68 uH 10 % 140 mA + 105 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 1.0uH 500mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200
9,978预期 2026/10/7
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

1 uH 10 % 50 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.33 H, 750mO
7,119预期 2026/12/11
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

330 nH 5 % 100 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 5.6 H, 1.1O
7,906预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

5.6 uH 5 % 15 mA + 125 C
TDK 射频电感器(SMD型) 330nH 400mohms 250mA +/-10% Fer AEC-Q200
3,995预期 2026/11/9
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

330 nH 10 % 250 mA + 125 C AEC-Q200
TDK 射频电感器(SMD型) 680nH 600mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200
3,999预期 2026/10/26
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

680 nH 10 % 150 mA + 125 C AEC-Q200