API21550隔离式高侧/低侧栅极驱动器
Diodes Inc. API21550隔离式高侧/低侧栅极驱动器可提供高达4A/6A峰值源/漏电流驱动能力。根据工作条件,API21550可提供5V、8V和12V VDD UVLO选项,用于驱动GaN、MOSFET及IGBT/SiC。API21550的最大VDD电源电压为30V,而输入端的工作电压范围为3V至5.5V。
Diodes Inc. API21550隔离式高侧/低侧栅极驱动器可提供高达4A/6A峰值源/漏电流驱动能力。根据工作条件,API21550可提供5V、8V和12V VDD UVLO选项,用于驱动GaN、MOSFET及IGBT/SiC。API21550的最大VDD电源电压为30V,而输入端的工作电压范围为3V至5.5V。