CoolSiC™汽车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET

英飞凌CoolSiC™汽车级1200V G1 SiC沟槽MOSFET具有更高的功率密度、更高的效率及更高的可靠性。该系列产品包括采用TO-247-3引脚、TO-247-4引脚及D2PAK-7引脚封装的1200V SiC MOSFET，其R_DS(on)范围为8.7mΩ至160mΩ，在+25°C时的ID最大值为17A至205A。高功率密度、卓越的效率、双向充电能力以及显著降低的系统成本，使英飞凌的1200V汽车级CoolSiC™ MOSFET模块成为车载充电器和DC-DC应用的理想选择。TO和SMD元件还设有开尔文源极引脚，可优化开关性能。