OptiMOS™ 5 75V-100V车用MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5 75V至100V车用MOSFET专为高性能应用而设计，并具备超过AEC-Q101标准要求的扩展认证。  这款N沟道增强型设备采用强固设计和先进技术，将线性FET (LINFET) 和低RDS(on) FET (ONFET) 特性集成于单一封装中。这种双栅极配置为每个MOSFET提供了专用栅极引脚，提高了电路设计的灵活性和控制能力。线性FET具备改进的安全工作区 (SOA) 和卓越的并联能力，可确保在不同条件下实现可靠的线性运行。英飞凌OptiMOS™ 75V至100V MOSFET可在-55°C至+175°C的宽温度范围内工作，并采用PG-HSOF-8-2封装。  

结果: 61
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
数据表
3,591预期 2026/9/17
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, 42 m max, Automotive MOSFET, S3O8 (3x3), OptiMOS 5
数据表
5,000预期 2026/9/24
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 5.4 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 10 m max, Automotive MOSFET, S3O8 (3x3), OptiMOS 5
数据表
5,000预期 2026/9/28
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 18.6 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
数据表
更多信息可用

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 370 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 149 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
数据表
更多信息可用

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 100 V 310 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 142 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
数据表
更多信息可用

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 350 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 138 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
数据表

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
数据表

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
数据表

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
数据表

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 131 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
数据表

Si Reel