沟槽型650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS沟槽式650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽式IGBT工艺进行开发。这些绝缘栅极双极晶体管具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。该器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。

结果: 50
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
数据表
378库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2 SMD/SMT Single 650 V 650 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
数据表
291库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.27 V 20 V 130 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
557库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 235 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
140库存量
125预期 2026/10/28
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SOT227 1200V 110A GENX4
数据表
237库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 275 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 1200V 140A GENX4
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 480 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 20A XPT
数据表
46库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 120A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
数据表
5库存量
390预期 2027/4/19
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
3,970在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.2 V - 20 V, 20 V 145 A 536 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
100在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 165 A 455 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 30A XPT
数据表
750在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 106 A 500 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 20A XPT
数据表
276预期 2027/4/19
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
数据表
300预期 2026/10/5
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.7 V 20 V 90 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
数据表
无库存交货期 31 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.23 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 140A XPT
数据表
无库存交货期 31 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 340 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 40A GENX4
数据表
无库存交货期 51 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 123 A 455 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
无库存交货期 31 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 118 A 455 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
无库存交货期 51 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
无库存交货期 31 周
最低： 300
倍数： 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.54 V - 20 V, 20 V 310 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT
数据表
无库存交货期 41 周
最低： 300
倍数： 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SOT227 650V 340A IGBT
数据表
无库存交货期 31 周
最低： 300
倍数： 10

Si SOT-227B-3 Screw Mount Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 520 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
无库存交货期 31 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
数据表
无库存交货期 31 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 480 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube