MOSFET – Mouser

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650V DTMOS-VI超级结MOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏电流导通电阻。这些器件具有10V漏源电压。

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI TK125V65Z,LQ Toshiba 1: ¥50.624 7,157库存量	制造商零件编号 TK125V65Z,LQ Mouser 零件编号 757-TK125V65ZLQ	Toshiba	MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI 了解更多关于Toshiba 650v dtmos vi mosfets 的信息	数据表	7,157库存量	剪切带 ¥50.624 ¥26.6341 ¥24.5662 卷轴 ¥24.5662 报价报价 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 2,500			Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	125 mOhms	30 V	4 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI TK170V65Z,LQ Toshiba 1: ¥41.1885 4,670库存量	制造商零件编号 TK170V65Z,LQ Mouser 零件编号 757-TK170V65ZLQ	Toshiba	MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI 了解更多关于Toshiba 650v dtmos vi mosfets 的信息	数据表	4,670库存量	剪切带 ¥41.1885 ¥21.2553 ¥19.3569 ¥16.8709 卷轴 ¥15.8765 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 2,500			Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	18 A	170 mOhms	30 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI TK155A65Z,S4X Toshiba 1: ¥48.138 76库存量	制造商零件编号 TK155A65Z,S4X Mouser 零件编号 757-TK155A65ZS4X	Toshiba	MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI 了解更多关于Toshiba 650v dtmos vi mosfets 的信息	数据表	76库存量	¥48.138 ¥31.5157 ¥23.2441 ¥20.5999 ¥18.2834	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	18 A	155 mOhms	30 V	4 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	Tube
	MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI TK190A65Z,S4X Toshiba 1: ¥44.2508 96库存量	制造商零件编号 TK190A65Z,S4X Mouser 零件编号 757-TK190A65ZS4X	Toshiba	MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI 了解更多关于Toshiba 650v dtmos vi mosfets 的信息	数据表	96库存量	¥44.2508 ¥28.9506 ¥21.5943 ¥18.1139 查看 ¥16.7918 ¥15.7183	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	190 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	Tube
	MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI TK110N65Z,S1F Toshiba 1: ¥55.7542 59预期 2026/12/25	制造商零件编号 TK110N65Z,S1F Mouser 零件编号 757-TK110N65ZS1F	Toshiba	MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI 了解更多关于Toshiba tk110n65z mosfet 的信息	数据表	59预期 2026/12/25	¥55.7542 ¥34.6571	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	110 mOhms	30 V	4 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	Tube
	MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI TK110A65Z,S4X Toshiba 1: ¥59.4719 无库存交货期 16 周	制造商零件编号 TK110A65Z,S4X Mouser 零件编号 757-TK110A65ZS4X	Toshiba	MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI 了解更多关于Toshiba 650v dtmos vi mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 16 周	¥59.4719 ¥32.5101 ¥29.6964 ¥24.8939	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	110 mOhms	30 V	4 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	Tube
	MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI TK210V65Z,LQ Toshiba 2,500: ¥13.6504 无库存交货期 16 周	制造商零件编号 TK210V65Z,LQ Mouser 零件编号 757-TK210V65ZLQ	Toshiba	MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI 了解更多关于Toshiba 650v dtmos vi mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 16 周	卷轴 ¥13.6504	最低： 2,500 倍数： 2,500 : 2,500			Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	210 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	Reel