SH8J P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor SH8J P沟道功率MOSFET具有低导通电阻，采用小型表面贴装封装 (SOP8)。ROHM提供从小信号产品到800V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用，如电源和电机驱动电路。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
数据表
2,188库存量
剪切带
¥27.1313
¥13.56
¥11.8311
¥9.9214
¥9.6728
卷轴
¥9.0174
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 2 Channel 40 V 8.5 A 15.3 mOhms 10 V 2.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
数据表
1库存量
7,500在途量
剪切带
¥27.1313
¥13.56
¥12.2379
¥9.9214
¥9.7632
卷轴
¥9.0174
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 2 Channel 60 V 7.5 A 32 mOhms 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel