RH7L04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7L04CBJFRATCB
Price: 16.03 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RH7L04CBJFRATCB

制造商编号：

RH7L04CBJFRATCB

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET DFN8 P CHAN 60V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

RH7L04CBJFRATCB 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRATCB详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	36 A
Rds On-漏源导通电阻:	41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	35 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	62 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	32 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	18 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	125 ns
典型接通延迟时间:	13 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RH7L04CBJFRATCB 数据表

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET是一款车规级MOSFET，其额定漏源电压 (V_DSS) 为-60V，额定漏极连续电流 (I_D) 为±36A，符合AEC-Q101认证要求。漏源导通电阻 [R_DS(ON)] 为41mΩ（最大值，V_GS = -10V，I_D = -20A时），采用3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) 封装。ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA MOSFET非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息、照明和车身应用。