MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET

Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。这些MOSFET还具有208W的最大功率耗散（Tc = 25°C）和51A的漏极连续电流（Tc = 25°C）。Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC 750V N沟道MOSFET不含卤素，并采用TO-247AD 4L封装。用户将这些MOSFET设计用于充电器、辅助电机驱动器和DC-DC转换器。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Vishay / Siliconix 碳化硅MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
数据表
600预期 2027/4/14
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Vishay / Siliconix 碳化硅MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
数据表
600预期 2027/4/7
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement