RV8L002SN和RV8C010UN小信号MOSFET

ROHM Semiconductor RV8L002SN和RV8C010UN小信号MOSFET采用无引线超小型封装,具有裸露漏极焊盘,可实现出色的导热性能。RV8L002SN和RV8C010UN MOSFET还具有非常快的开关速度、2.5V超低电压驱动以及高达2kV的ESD保护。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Nch, 60V(Vdss), 0.2A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
7,986预期 2026/10/21
剪切带
¥7.4467
¥3.4126
¥3.0171
¥2.3052
卷轴
¥1.5255
最低: 1
倍数: 1
: 8,000
Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Nch, 20V(Vdss), 1.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
7,168预期 2026/11/2
剪切带
¥8.1925
¥3.729
¥3.2883
¥2.5199
卷轴
¥1.582
最低: 1
倍数: 1
: 8,000
Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 470 mOhms 8 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel