NVTFS014P04M8L功率MOSFET

安森美半导体NVTFS014P04M8L功率MOSFET是-40V和-49A单P沟道MOSFET,具有低导通电阻 (RDS (on)) 和电容,可最大限度地降低导通和驱动器损耗。安森美半导体NVTFS014P04M8L功率MOSFET的占位面积为3.3mm × 3.3mm,设计紧凑。这些功率MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
onsemi MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
18,705预期 2026/11/27
剪切带
¥15.7183
¥9.8988
¥6.5201
¥5.1754
¥4.5991
卷轴
¥4.5991
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,900
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 49 A 13.8 mOhms 20 V 2.4 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM 308库存量
57,000在途量
剪切带
¥16.3285
¥10.2491
¥6.7461
¥5.3562
¥4.7573
卷轴
¥4.7573
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 49 A 13.8 mOhms 20 V 2.4 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel