能源基础设施解决方案

安森美 (onsemi) 能源基础设施解决方案旨在解决不断发展变化的能源产生、分配和存储问题,从而达到政府政策设定的目标并满足不断增长的消费需求。能源基础设施的演变重点关注以下方面:提高效率目标、减少二氧化碳排放量以及重视可再生清洁能源。安森美提供全面的高能效解决方案,可满足各种大功率应用的苛刻要求,包括碳化硅 (SiC) 二极管、智能功率模块和电流检测放大器。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
onsemi MOSFET N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 99 A, 6.5 mOhm 671库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

onsemi MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench 269库存量
6,000预期 2027/12/15
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,500
: 3,000

onsemi MOSFET 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET 331库存量
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,500
: 3,000

onsemi MOSFET 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET 166库存量
3,000预期 2027/7/30
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V SiC SBD 30A 45库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT 151库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 高速光耦合器 H-SPEED LOGIC GATE 807库存量
1,000预期 2027/7/23
最低: 1
倍数: 1
最大: 500

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 16A SIC SBD 143库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT 417库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 栅极驱动器 HIGH CURRENT IGBT GATE DR 33库存量
2,500预期 2026/11/3
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

onsemi 逻辑输出光电耦合器 1.0A Output Gate Driver Optocoupler
2,000预期 2026/10/6
最低: 1
倍数: 1


onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL 900工厂有库存
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode 无库存交货期 48 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500


onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 82MOHM 无库存交货期 46 周
最低: 800
倍数: 800