SiC肖特基势垒二极管

Toshiba碳化硅肖特基势垒二极管 (SBD) 具有高反向额定电压和短反向恢复时间 (trr)。 Toshiba还提供650V肖特基势垒二极管 (SBD)，它采用结势垒肖特基 (JBS) 结构，可实现低漏电流 (IR) 和高浪涌电流能力。这些器件提高了开关模式电源的效率。

结果: 24
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
配置
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最小工作温度
最大工作温度
封装
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 10A RDL SIC SKY
数据表
97库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 79 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 6A RDL SIC SKY
数据表
160库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 6 A 650 V 1.45 V 52 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 V=650 IF=8A
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
数据表
58库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.27 V 690 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 18A RDL SIC SKY
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 36 A 1.2 kV 1.27 V 820 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY
数据表
68库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-2 Single 61 A 1.2 kV 1.27 V 1.08 kA 2 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 32A RDL SIC SKY
数据表
24库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 64 A 1.2 kV 1.27 V 1.38 kA 1 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY
数据表
67库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.27 V 940 A 1.4 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 50 A 1.2 kV 1.27 V 1.06 kA 700 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 10A RDL SIC SKY
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 2A RDL SIC SKY
数据表
206库存量
300预期 2027/1/13
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 4A RDL SIC SKY
数据表
115库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 37 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 12A RDL SIC SKY
数据表
100预期 2026/7/28
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 92 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
数据表
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 10A RDL SIC SKY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 12A RDL SIC SKY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 3A RDL SIC SKY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 4A RDL SIC SKY
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 V=650 IF=6A
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 8A RDL SIC SKY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 8 A 650 V 1.45 V 65 A 400 nA + 175 C Tube