RGW 650V场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。

结果: 42
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
数据表
444库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 72 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO3P 650V 16A TRNCH
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 27 A 61 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 50A TRNCH
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 600
倍数： 600

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 50A TRNCH
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 40A TRNCH
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 60A TRNCH
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 450
倍数： 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube