CoolSiC™ 750V G1 MOSFET

英飞凌CoolSiC ™ 750V G1 MOSFET具有卓越的性能、可靠性和稳健性。 英飞凌CoolSiC 750V G1具有灵活的栅极驱动功能,可实现简化、经济高效的系统设计。 这些MOSFET可优化效率和功率密度。

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结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 730库存量
剪切带
¥53.0196
¥28.0353
¥25.6397
¥24.7357
卷轴
¥22.3288
最低: 1
倍数: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 240库存量
¥316.061
¥208.5302
¥208.033
最低: 1
倍数: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 230库存量
¥145.6683
¥102.2424
¥88.7502
¥84.5353
最低: 1
倍数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 230库存量
¥127.6335
¥80.8967
¥75.4388
¥70.2295
最低: 1
倍数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 240库存量
¥95.372
¥57.1554
¥53.0196
¥46.7368
最低: 1
倍数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 86库存量
¥178.4157
¥113.1582
¥106.0392
¥103.5645
最低: 1
倍数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 224库存量
¥80.23
¥47.7312
¥44.0926
¥38.2166
最低: 1
倍数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 188库存量
¥67.1672
¥37.0527
¥34.1599
¥29.3687
最低: 1
倍数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 176库存量
¥50.5449
¥29.0297
¥26.8036
¥24.8148
最低: 1
倍数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
733预期 2026/10/22
剪切带
¥179.5796
¥116.5482
¥110.3445
卷轴
¥110.3445
最低: 1
倍数: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 53 周
卷轴
¥47.7312
最低: 750
倍数: 750
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel