U-MOSVIII-H低压高效MOSFET

Toshiba U-MOSVIII-H低压高效MOSFET专门设计用于笔记本电脑适配器、游戏机、服务器、台式电脑、平板显示器等的AC-DC电源的二次侧，另外还用于通信设备、服务器和数据中心的DC-DC电源。Toshiba U-MOSVIII-H低压高效MOSFET采用最新的第8代沟槽MOS工艺制造，有助于提高电源效率。其他特性包括低漏极-源极导通电阻、低漏电流和高耐雪崩性。该系列还包括采用小型封装的汽车级MOSFET。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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8,859库存量
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: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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3,623库存量
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: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG
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19,353库存量
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: 10,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V - 20 V, 20 V 2.3 V 17.3 nC + 150 C 1.51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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7,239库存量
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倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SOP8 N-CH 80V 146A
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4,829库存量
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: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 116 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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36,000预期 2026/7/27
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel