LMG3100R0x集成驱动器GaN FET

Texas Instruments LMG3100R0x氮化镓（GaN）FET与集成驱动器是1.7mΩ GaN FET，而驱动器带有高端电平移位器和自举电路。两个LMG3100器件可用于构成半桥，无需外部电平移位器。氮化镓 (GaN) FET和驱动器组件具有内置电源轨欠压锁定 (UVLO) 保护和内部自举电源电压钳位功能，以防止过驱动 (>5.4V)。Texas Instruments LMG3100R0x提供低功耗和改进的用户接口。LMG3100R017是高频、高效应用的理想解决方案，包括降压-升压转换器、LLC转换器、太阳能逆变器、电信、电机驱动器、电动工具和D级别音频放大器。