OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET

英飞凌 OptiMOS™7优化型40V N-沟道功率MOSFET 是一款优化型电机驱动器，专为驱动系统、电源设备及园艺工具的高效电源转换而精心设计。英飞凌40V产品组合提供额外的电压节点和低导通电阻[RDS(on)]，并提供标准封装选项，包括PG-TDSON（PQFN 5mmx6mm）、PG-TSDSON（PQFN 3.3mmx3.3mm）和PG-WSON-8（PQFN 5mmx6mm双面冷却）。目标应用场景包括电机控制、电池管理系统 (BMS)、无线吸尘器、园艺工具及各类电动工具等。

结果: 10
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFET in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
数据表
4,974库存量
4,000预期 2027/1/28
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 443 A 520 uOhms 20 V 3.2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFET in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package
数据表
2,522库存量
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 339 A 650 uOhms 20 V 3.2 V 81 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFET in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
数据表
3,160库存量
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 289 A 820 uOhms 20 V 3.2 V 65 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
数据表
5,000库存量
5,000预期 2026/10/12
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 256 A 1.05 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
数据表
7,377库存量
10,000预期 2026/10/9
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 174 A 1.49 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
数据表
2,298库存量
5,000预期 2027/5/20
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 284 A 900 uOhms 20 V 3.15 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
数据表
459库存量
25,000在途量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 177 A 1.4 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
数据表
31库存量
25,000预期 2026/12/3
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 219 A 1.15 mOhms 20 V 3.15 V 45 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
数据表
8,044预期 2026/10/15
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 458 A 500 uOhms 20 V 3.15 V 117 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
数据表
10,000在途量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 357 A 650 uOhms 20 V 3.15 V 85 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape