SSM6N951L/SSM10N954L场效应晶体管

Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L场效应晶体管可促进小型电池的高效充电/放电。提高电池’可靠性，降低热冲击是采用快速充电的锂离子电池的关键要求。MOSFET通常在充电/放电保护电路中用作开关，通常内置于锂离子电池组。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Toshiba MOSFET TCSPAC N-CH 12V 13.5A
数据表
4,533库存量
剪切带
¥17.1195
¥8.2038
¥7.345
¥5.8195
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卷轴
¥4.7912
最低： 1
倍数： 1
: 10,000
Si SMD/SMT TCSPAC-153001-10 N-Channel 1 Channel 12 V 13.5 A 8 V 1.4 V 25 nC + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch x 2 Common-drain MOSFET, 12V, 8A, 0.0051 Ohm@4.5V, TCSP6A-172101
数据表
5,758库存量
剪切带
¥16.4641
¥10.17
¥6.667
¥5.2432
卷轴
¥3.4691
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最低： 1
倍数： 1
: 10,000
Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.1 mOhms 8 V 1.4 V 26 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement Reel, Cut Tape