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NVHL060N065SC1

Name: onsemi NVHL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL060N065SC1
Price: 121.95 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NVHL060N065SC1

制造商编号：

NVHL060N065SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

数据表:

NVHL060N065SC1 数据表

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	47 A
Rds On-漏源导通电阻:	44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	74 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	176 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	2 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	32 ns
系列:	NVHL060N065SC1
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	23 ns
典型接通延迟时间:	12 ns

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数据表

NVHL060N065SC1 数据表

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低R_DS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET

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