QPD1000A GaN输入匹配晶体管

Qorvo QPD1000A GaN输入匹配晶体管是一款15W(P3dB)、50Ω输入匹配的分立式GaN-on-SiC HEMT,采用28V电源轨供电,工作频率范围为30MHz至1215MHz。其集成式输入匹配网络可实现宽频增益和功率性能,同时输出可在板上匹配,从而优化频段内任何区域的功率和效率。该器件非常适合基站、雷达及通信应用,且可支持连续波(CW)和脉冲两种工作模式。Qorvo QPD1000A采用行业标准6mm x 5mm表面贴装DFN封装。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型
Qorvo GaN 场效应晶体管 30 - 1215 MHz, 15 Watt, GaN RF Input-Matched Transistor
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Qorvo GaN 场效应晶体管 30 - 1215 MHz, 15 Watt, GaN RF Input-Matched Transistor
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。