DMTH4004 N沟道增强模式MOSFET

Diodes Inc. DMTH4004 N沟道增强模式MOSFET设计用于最大限度地降低导通电阻R_DS(ON)。这些MOSFET非常适合用于环境温度高的环境，额定温度高达175°C。N沟道MOSFET在生产过程中100%经过UIS （无钳位电感开关）测试，确保更可靠而稳健的最终应用。这些MOSFET具有40V漏极到源极电压，并最大限度地减少开关损耗。在DMTH4004系列中，DMTH4004SCTBQ、DMTH4004SPSQ和DMTH4004LK3  MOSFET设计用于满足汽车应用的严格要求。 这些MOSFET具有PPAP（生产件批准程序）功能，符合AEC-Q101标准。DMTH4004系列MOSFET非常适合用于发动机管理系统、车身控制电子设备和直流-直流转换器。