TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片设计，有各种型号可供选择。Si N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和快速反向恢复能力。这些MOSFET可轻松控制栅极开关。TK16x60W MOSFET有各种尺寸可选，采用DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220和TO-220SIS不同封装。这些 TK16x60W Si N沟道MOSFET用于开关稳压器。

结果: 11
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
数据表
966库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
数据表
2,487库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
数据表
7库存量
300预期 2026/11/16
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
数据表
48库存量
150预期 2026/7/22
最低： 1
倍数： 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
数据表
67库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
73库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
74库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
数据表
无库存交货期 16 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel