结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
数据表
257库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching
数据表
383库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
392库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
数据表
125库存量
450预期 2027/3/19
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
数据表
151库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T
数据表
85库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube