结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 245库存量
¥68.6588
¥40.0359
¥39.9568
¥34.4876
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching 276库存量
¥50.2059
¥28.5325
¥23.7413
¥22.7469
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 392库存量
¥44.8271
¥25.312
¥20.8485
¥19.5264
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 92库存量
450预期 2027/1/5
¥90.9085
¥59.89
¥45.1661
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT 101库存量
¥44.9966
¥25.3911
¥20.9276
¥19.6055
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T 31库存量
90预期 2026/12/21
¥54.7598
¥31.3462
最低: 1
倍数: 1
最大: 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 450库存量
¥41.9343
¥27.5494
¥20.5095
¥15.6279
¥15.0516
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube