IPDQ60R010S7AXTMA1

Name: Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DQ60R010S7AXTMA1
Price: 193.83 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-DQ60R010S7AXTMA1

制造商编号：

IPDQ60R010S7AXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

数据表:

IPDQ60R010S7AXTMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	50 A
Rds On-漏源导通电阻:	10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	318 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	694 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	750
子类别:	Transistors
零件号别名:	IPDQ60R010S7A SP002063384

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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