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NVBG020N120SC1

Name: onsemi NVBG020N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG020N120SC1
Price: 382.47 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVBG020N120SC1

制造商编号：

NVBG020N120SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1

数据表:

NVBG020N120SC1 数据表

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按800的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥432.1911	¥432.19
	¥350.7181	¥3,507.18
	¥332.107	¥33,210.70
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥332.107	¥265,685.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
REACH - SVHC:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	98 A
Rds On-漏源导通电阻:	28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 15 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	220 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	468 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	34 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	20 ns
系列:	NVBG020N120SC1
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	42 ns
典型接通延迟时间:	22 ns
单位重量:	4.675 g

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已选择的属性: 0

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数据表

NVBG020N120SC1 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFET具有1200V和1700V额定电压。 onsemi M1 MOSFET设计用于满足要求可靠性和效率的大功率应用需求。 M1 EliteSiC MOSFET采用多种封装选项，包括D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD和裸片。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

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NVBG020N120SC1 N沟道碳化硅MOSFET

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1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET

安森美 (onsemi) 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET与硅器件相比，具有出色的开关性能和高可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关和低电容，工作温度范围为-55°C至+175°C。1200V SiC MOSFET符合AEC-Q101车载标准和RoHS指令。这些MOSFET适合用于升压逆变器、充电桩、DC-DC逆变器、DC-DC转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。