TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT针对开关>60kHz进行了优化，以提供最佳效率，弥补MOSFET和IGBT之间的差距。与目前领先解决方案相比，F5系列显著降低了开关损耗。目标拓扑为不间断电源 (UPS)、逆变焊机和开关电源 (SMPS) 等应用中常见的升压级、PFC（交流-直流）级和高压直流-直流拓扑。650V TRENCHSTOP™ 5 F5 IGBT与碳化硅二极管共同针对低电感设计，提供的效率比650V TRENCHSTOP™ 5 H5系列高出1%。F5产品需要的设计工作更多，但回报也更高。

结果: 17
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
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集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
数据表
产品评论
5库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 10.8 A 31.2 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
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761库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 150 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
1,289库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
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33库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
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4库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
数据表
产品评论
302库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 14 A 33.3 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
498库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 14 A 33.3 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETES
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.66 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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720在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
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无库存交货期 10 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 105 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETES
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交货期 39 周
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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无库存交货期 36 周
最低： 240
倍数： 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
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无库存交货期 30 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 10.8 A 31.2 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
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无库存交货期 36 周
最低： 240
倍数： 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
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无库存交货期 36 周
最低： 240
倍数： 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
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无库存交货期 39 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
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无库存交货期 39 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel