RGTV 650V场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGTV 650V场终止型沟槽IGBT采用小型封装,具有低集电极-发射极饱和电压。RGTV IGBT具有高速开关、低开关损耗和2μs短路耐受时间。ROHM RGTV 650 V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete Semiconductors, IGBT, 2 s Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 429库存量
¥68.6588
¥39.7873
¥33.5045
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 451库存量
¥76.5914
¥52.3642
¥43.0078
¥42.1829
最低: 1
倍数: 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 846库存量
¥57.4831
¥32.8378
¥27.0522
¥25.1425
最低: 1
倍数: 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete Semiconductors, IGBT, 2 s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT 433库存量
¥71.5516
¥41.6066
¥35.0752
最低: 1
倍数: 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 449库存量
¥66.2519
¥44.9175
¥32.4197
最低: 1
倍数: 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 399库存量
¥64.3535
¥37.1431
¥31.188
最低: 1
倍数: 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete Semiconductors, IGBT, 2 s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT 450库存量
¥29.945
¥27.1313
最低: 1
倍数: 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube