600V第四代PrestoMOS Super Junction MOSFET

ROHM Semiconductor 600V第四代PrestoMOS™超级结MOSFET利用原创专利技术加速寄生二极管，获得超快反向恢复特性 实现低功耗。 与IGBT实施相比，PrestoMOS设计在轻负载时可将功率损耗降低约58%。此外，提高开启MOSFET所需的参考电压可防止自导通（这是造成损耗的主要原因之一）。经过优化的内置寄生二极管改善了Super Junction MOSFET的软恢复指数，可降低可能导致故障的噪声。