E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (RDS(ON)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). E series MOSFETs are available in 800VDS high-voltage variants with drain current (ID) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.  

结果: 39
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
数据表
682库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 800V 8A N-CH MOSFET
数据表
1,387库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO252 800V 8A N-CH MOSFET
数据表
4,760库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
数据表
123库存量
2,000预期 2026/9/30
最低： 1
倍数： 1
最大： 1,000

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 8A N-CH MOSFET
数据表
1,038库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 23A N-CH MOSFET
数据表
40库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
数据表
277库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET
数据表
1,975预期 2027/3/19
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7.5 A 205 mOhms 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 26A N-CH MOSFET
数据表
4,000预期 2027/4/9
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V
数据表
无库存交货期 30 周
最低： 800
倍数： 800
Si

Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 500
倍数： 500
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 32A N-CH MOSFET
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel