TCMT111x光电晶体管输出光耦合器

Vishay Semiconductors TCMT111x单通道光电晶体管输出光耦合器由光电晶体管和砷化镓红外发射二极管进行光学耦合，采用4引脚封装。这些设备的AC隔离测试电压为3750VRMS，典型耦合电容低至0.3pF。Vishay Semiconductors TCMT111x的工作环境温度范围 (Tamb) 宽达-40°C至+110°C，且电流传输比 (CTR) 可根据具体零件编号按不同分组进行选择。

结果: 6
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
通道数量
绝缘电压
输出类型
电流传输比（最小值）
电流传输比（最大值）
If - 正向电流
Vf - 正向电压
最大集电极/发射极电压
最大集电极电流
最大集电极/发射极饱和电压
上升时间
下降时间
Vr - 反向电压
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
Vishay Semiconductors 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor 130-260% CTR 5mA VDE
数据表
2,772库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT 1 Channel 3750 Vrms NPN Phototransistor 130 % 260 % 50 mA 1.4 V 70 V 50 mA 300 mV 5.5 us 7 us 6 V 230 mW - 40 C + 100 C Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor 50-600% CTR 5mA VDE
数据表
2,932库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT 1 Channel 3750 Vrms NPN Phototransistor 50 % 600 % 50 mA 1.4 V 70 V 50 mA 300 mV 5.5 us 7 us 6 V 230 mW - 40 C + 100 C Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor 100-200%CTR 10mA VDE
数据表
3,895库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT 1 Channel 3750 Vrms NPN Phototransistor 100 % 300 % 50 mA 1.4 V 70 V 50 mA 300 mV 5.5 us 7 us 6 V 230 mW - 40 C + 100 C Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor 200-400% CTR 5mA VDE
数据表
3,700库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT 1 Channel 3750 Vrms NPN Phototransistor 200 % 400 % 50 mA 1.4 V 70 V 50 mA 300 mV 5.5 us 7 us 6 V 230 mW - 40 C + 100 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor 100-300% CTR 5mA VDE
数据表
5,832库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT 1 Channel 3750 Vrms NPN Phototransistor 100 % 300 % 50 mA 1.4 V 70 V 50 mA 300 mV 5.5 us 7 us 6 V 230 mW - 40 C + 100 C Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor 80-160% CTR 5mA VDE
数据表
9,000在途量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT 1 Channel 3750 Vrms NPN Phototransistor 80 % 160 % 50 mA 1.4 V 70 V 50 mA 300 mV 5.5 us 7 us 6 V 230 mW - 40 C + 100 C Reel, Cut Tape