您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

RD3S100AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3S100AAFRATL
Price: 27.67 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RD3S100AAFRATL

制造商编号：

RD3S100AAFRATL

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

数据表:

RD3S100AAFRATL 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL详情

库存量: 2,309

库存：: 2,309 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 16 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥31.2671	¥31.27
	¥19.1083	¥191.08
	¥14.3962	¥1,439.62
	¥11.9102	¥5,955.10
	¥11.0853	¥11,085.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥10.17	¥25,425.00
	¥9.8423	¥49,211.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	190 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	182 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	52 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	85 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	75 ns
正向跨导 - 最小值:	6 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	20 ns
系列:	RD3
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	140 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
零件号别名:	RD3S100AAFRA
单位重量:	330 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

筛选文档:

数据表

RD3S100AAFRATL 数据表

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

N沟道SiC功率MOSFET

ROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。这些ROHM SiC Power MOSFET的导通电阻增加非常微弱，封装小型化更为出色。与标准硅器件相比，它们具有更出色的节能效果，在标准硅器件中，导通电阻随温度的升高可增加一倍以上。

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

汽车器件

ROHM汽车器件以其长期稳定的产品供应为汽车行业和下一代汽车的发展做出了卓越贡献。ROHM丰富的产品阵容支持不断增加的计算能力和连接。RoHM注重安全性、舒适度和生态，同时针对客户的需求提供最佳解决方案。

RD3S100AAFRA N沟道190 V 10 A功率MOSFET

ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA N沟道190V 10A功率MOSFET具有低导通电阻和高开关速度。RD3S100AAFRA MOSFET可轻松设置为并联使用。ROHM RD3S100AAFRA功率MOSFET设计用于开关电源应用。

RD3x汽车N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET是一款高性能开关和整流器设备，用于广泛的电源和信号应用。符合AEC-Q101标准的ROHM RD3x组件具有正向电压低、恢复时间快、浪涌电流能力高等特点，使MOSFET成为紧凑型电子系统中高效电源转换和保护的理想选择。RD3系列具有针对汽车、工业和消费类电子产品定制的选项，支持DC-DC转换器、电机驱动器、LED灯和电池供电设备等应用。紧凑型表面贴装（TO-252-3）封装和低漏电流有助于节省空间和实现节能设计，而高可靠性则可确保在苛刻条件下具有稳定性能。