VS-VF单开关碳化硅功率MOSFET

Vishay Semiconductors VS-VF单开关碳化硅功率MOSFET是高性能碳化硅 (SiC) MOSFET。这些Vishay Semiconductor MOSFET具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特性，非常适合用于高频开关应用，包括太阳能逆变器和EV充电器。

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
封装
Vishay Semiconductors MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
数据表
302库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 126 A 16.8 mOhms - 8 V, 19 V 2.5 V - 55 C + 175 C 535 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
数据表
298库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 32.6 mOhms - 8 V, 19 V 1.7 V - 55 C + 175 C 468 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
数据表
141库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 12.1 mOhms - 8 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 750 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
数据表
158库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 43 mOhms - 4 V, 15 V 2.4 V - 55 C + 175 C 136 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
数据表
156库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 47 mOhms - 4 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 238 W Tube