IRF540N/Z 高级 HEXFET® 功率 MOSFET

International Rectifier IRF540N/Z 高级 HEXFET® 功率 MOSFET 采用先进工艺，实现极低的单位硅面积导通电阻。这一优点再加上快速的开关速度、坚固的器件设计及 HEXFET 功率 MOSFET 著名的 175°C 工作结温，为设计人员提供了极为高效和可靠的器件，适用于广泛的应用。
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结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
数据表
14,556库存量
68,641在途量
剪切带
¥24.3176
¥13.899
¥10.9158
¥7.6049
卷轴
¥7.6049
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
数据表
4,507库存量
剪切带
¥19.436
¥10.0118
¥8.5202
¥6.7461
卷轴
¥5.8534
¥5.7291
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800
Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
数据表
32,800预期 2026/12/10
¥21.0067
¥13.4809
¥9.1869
¥7.7857
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube