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电子元器件
半导体
分立半导体
晶体管
碳化硅MOSFET
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分立半导体
晶体管
碳化硅MOSFET
安装风格
封装 / 箱体
Id-连续漏极电流
Qg-栅极电荷
Pd-功率耗散
SMD/SMT
Through Hole
重置
D2PAK-7
TO-247-4
重置
71 A
81 A
≤
≥
重置
200 nC
222 nC
≤
≥
重置
428 W
535 W
≤
≥
重置
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Id-连续漏极电流
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Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
碳化硅MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
+1 图像
NTH4L028N170M1
onsemi
1:
¥306.795
771
库存量
NRND
制造商零件编号
NTH4L028N170M1
Mouser 零件编号
863-NTH4L028N170M1
NRND
onsemi
碳化硅MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
了解更多
关于onsemi nth4l028n170m1 mosfet
的信息
数据表
771
库存量
1
¥306.795
10
¥232.3506
购买
最低:
1
倍数:
1
最大:
225
详细信息
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.7 kV
81 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
535 W
Enhancement
EliteSiC
碳化硅MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
NTBG028N170M1
onsemi
1:
¥334.3331
6,109
在途量
NRND
制造商零件编号
NTBG028N170M1
Mouser 零件编号
863-NTBG028N170M1
NRND
onsemi
碳化硅MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
了解更多
关于onsemi ntbg028n170m1 mosfet
的信息
数据表
6,109
在途量
查看日期
订单发货日期
×
制造商编号:
NTBG028N170M1
库存:
0
在途量:
509
预期 2026/11/6
2,400
预期 2027/1/5
2,400
预期 2027/1/15
800
预期 2027/3/12
生产周期:
48 周
关闭
剪切带
1
¥334.3331
10
¥271.8102
100
¥255.7529
500
¥239.7973
卷轴
800
¥239.7973
购买
最低:
1
倍数:
1
最大:
800
卷轴
:
800
详细信息
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.7 kV
71 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
222 nC
- 55 C
+ 175 C
428 W
Enhancement
EliteSiC
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